企业简介
安集微电子科技（上海）有限公司 main business:集成电路用相关材料的研究、设计、生产，销售自产产品，并提供相关的技术服务与技术咨询。【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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安集微电子科技（上海）有限公司的工商信息
- 310115400192772
- 913101157847827839
- 存续（在营、开业、在册）
- 有限责任公司(中外合资)
- 2006年02月07日
- SHUMIN WANG
- 3983.128500
- 2006年02月07日 至 2036年02月06日
- 浦东新区市场监管局
- 2006年02月07日
- 上海市浦东新区华东路5001号金桥出口加工区（南区）T6－9幢底层
- 集成电路用相关材料的研究、设计、生产，销售自产产品，并提供相关的技术服务与技术咨询。【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】
安集微电子科技（上海）有限公司的域名
| 类型 | 名称 | 网址 |
| 网站 | 安集微电子 | http://www.anjimicro.com |
安集微电子科技（上海）有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN105800661A | 一种氧化铈水热制备方法及其CMP抛光应用 | 2016.07.27 | 本发明公开了一种氧化铈制备方法，其包括：步骤一：将沉淀剂、铈源和氧化剂混合，沉淀得到氢氧化铈，其中， |
| 2 | CN105807577A | 一种光阻残留物清洗液 | 2016.07.27 | 本发明提供一种有效地去除光刻胶残留物的光刻胶剥离液组成及其应用。该光刻胶剥离液以三乙醇胺硼酸酯、含有 |
| 3 | CN106527066A | 一种光阻残留物清洗液 | 2017.03.22 | 本发明涉及一种光阻残留物清洗液，其包括醇胺、酯类以及非酯类溶剂。该清洗液对金属和非金属的腐蚀速率较小 |
| 4 | CN106292207A | 一种光阻残留物清洗液 | 2017.01.04 | 本发明涉及一种光阻残留物清洗液，其包括醇胺、季氨氢氧化物、多元醇、肼及肼的衍生物以及溶剂。该清洗液在 |
| 5 | CN105800660A | 一种氧化铈制备方法及含有该氧化铈磨料的CMP抛光液 | 2016.07.27 | 发明公开了一种氧化铈制备方法，通过对反应物的优选和制备工艺的优化设计，制备的氧化铈颗粒具有均一的颗粒 |
| 6 | CN105800665A | 一种氧化铈晶体的制备方法及其CMP抛光应用 | 2016.07.27 | 本发明的目的是提供一种氧化铈晶体的制备方法，该方法首先通过两步沉淀制备碳酸铈，进一步高温焙烧所得碳酸 |
| 7 | CN105573069A | 一种光刻胶清洗液 | 2016.05.11 | 本发明公开了一种去除光阻残留物的清洗液含有(a)醇胺；(b)溶剂；(c)C4-C6的多元醇；(d)氮 |
| 8 | CN105527802A | 一种光刻胶清洗液 | 2016.04.27 | 本发明公开了一种新型清洗液含有：(a)季胺氢氧化物；(b)醇胺；(c)溶剂；(d)硅烷；(e)硼酸酯 |
| 9 | CN105295735A | 一种化学机械抛光液 | 2016.02.03 | 本发明公开了一种化学机械抛光液，其包含磨料颗粒、氧化剂、水和如式1所示的甲基苯并三氮唑类化合物；其中 |
| 10 | CN105297024A | 一种化学机械抛光液在提高钽抛光速率中的应用 | 2016.02.03 | 本发明公开了一种化学机械抛光液在提高钽抛光速率中的应用，该化学机械抛光液含有研磨颗粒，有机酸，聚丙烯 |
| 11 | CN105297025A | 一种含氮化合物在提高钽抛光速率中的应用 | 2016.02.03 | 本发明公开了一种含氮化合物在提高钽抛光速率中的应用，该含氮化合物添加入化学机械抛光液中，且该含氮化合 |
| 12 | CN105273637A | 一种具有颜料亲和基团的星型结构的聚合物表面活性剂在降低铜的静态腐蚀速率中的应用 | 2016.01.27 | 本发明揭示一种具有颜料亲和基团的星型结构的聚合物表面活性剂在降低铜的静态腐蚀速率中的应用，其中，该聚 |
| 13 | CN105273636A | 一种化学机械抛光液 | 2016.01.27 | 本发明公开了一种化学机械抛光液，其含有研磨颗粒，腐蚀抑制剂，氧化剂，水和两种络合剂。本发明的化学机械 |
| 14 | CN105022237A | 一种金属低刻蚀光刻胶剥离液 | 2015.11.04 | 本发明公开了一种新型清洗液含有：a)季胺氢氧化物；(b)醇胺；(c)溶剂；(d)糖酸或糖酸内酯。该光 |
| 15 | CN104946429A | 一种低蚀刻的去除光阻蚀刻残留物的清洗液 | 2015.09.30 | 本发明公开了一种低蚀刻的去除光阻蚀刻残留物的清洗液。这种低蚀刻性的去除光阻蚀刻残留物的清洗液含有(a |
| 16 | CN104678719A | 一种对金属极低腐蚀的光刻胶清洗液 | 2015.06.03 | 本发明公开了一种对金属具有极低腐蚀的光刻胶用于去除光阻残留物的清洗液及其组成。这种去除光阻残留物光刻 |
| 17 | CN104635438A | 一种光刻胶剥离液 | 2015.05.20 | 本发明涉及一种光刻胶剥离液，包含季胺氢氧化物，环氧类有机溶剂，以及除所述环氧类有机溶剂以外的其它溶剂 |
| 18 | CN104635439A | 一种光刻胶剥离液及其应用 | 2015.05.20 | 本发明公开了一种用于去除光阻残留物的清洗液及其组成。这种光阻残留物的清洗液含有（a）季胺氢氧化物，（ |
| 19 | CN104570628A | 一种金属低刻蚀的光刻胶剥离液及其应用 | 2015.04.29 | 本发明公开了一种金属低刻蚀的光刻胶剥离液及其应用。这种去光刻胶剥离液含有（a）季胺氢氧化物（b）醇胺 |
| 20 | CN104345582A | 一种用于去除光阻残留物的清洗液 | 2015.02.11 | 本发明公开了一种用于去除光阻残留物的清洗液。这种去除光阻残留物的清洗液包含季胺氢氧化物，醇胺，溶剂， |
| 21 | CN104345583A | 一种用于去除光阻残留物的清洗液 | 2015.02.11 | 本发明公开了一种用于去除光阻残留物的清洗液。这种去除光阻残留物的清洗液包含季胺氢氧化物，醇胺，溶剂， |
| 22 | TW201500865 | 一种去除光阻残留物的清洗液;CLEANING COMPOSITION FOR PHOTORESIST RESIDUE REMOVAL | 2015.01.01 | 本发明公开了一种用于去除光阻残留物的清洗液及其组成。这种去除光阻残留物的清洗液含有季胺氢氧化物，醇胺 |
| 23 | CN104238287A | 一种去除光阻残留物的清洗液 | 2014.12.24 | 本发明公开了一种用于去除光阻残留物的清洗液及其组成。这种去除光阻残留物的清洗液含有季胺氢氧化物，醇胺 |
| 24 | CN104238288A | 一种用于去除光阻残留物的清洗液 | 2014.12.24 | 本发明公开了一种用于去除光阻残留物的清洗液及其组成。这种去除光阻残留物的清洗液含有季胺氢氧化物，醇胺 |
| 25 | TW201426206 | 一种光阻去除剂;PHOTO-RESIST STRIPPER | 2014.07.01 | 本发明公开了一种低蚀刻性的适用于较厚光阻清洗的清洗液。该低蚀刻性的光阻清洗液含有(a)季铵氢氧化物、 |
| 26 | CN103869635A | 一种去除光刻胶的清洗液 | 2014.06.18 | 本发明公开了一种低蚀刻性的适用与较厚光刻胶清洗的清洗液及其清洗方法。这种低蚀刻性的光刻胶清洗液含有季 |
| 27 | CN103869636A | 一种光刻胶去除剂 | 2014.06.18 | 本发明公开了一种低蚀刻性的适用于较厚光刻胶清洗的清洗液。该低蚀刻性的光刻胶清洗液含有(a)季铵氢氧化 |
| 28 | CN103838091A | 一种去除光刻胶的清洗液 | 2014.06.04 | 本发明提供了一种低蚀刻性的适用与较厚光刻胶清洗的清洗液及其清洗方法。这种低蚀刻性的光刻胶清洗液含有季 |
| 29 | CN103838092A | 一种去除光阻残留物的清洗液 | 2014.06.04 | 本发明公开了一种用于去除光阻残留物的清洗液。该去除光阻残留物的清洗液含有季胺氢氧化物，醇胺，溶剂以及 |
| 30 | CN103809394A | 一种去除光阻蚀刻残留物的清洗液 | 2014.05.21 | 本发明提供了一种去除光阻蚀刻残留物的清洗液及其组成。这种去除光阻蚀刻残留物的清洗液含有氟化物，有机溶 |
| 31 | CN103809392A | 一种去除光刻胶残留物的清洗液 | 2014.05.21 | 本发明提供了一种用于去除光刻胶残留物的清洗液及其组成。该种去除光刻胶残留物的清洗液含有环丁砜，二甘醇 |
| 32 | CN103809393A | 一种去除光阻残留物的清洗液 | 2014.05.21 | 本发明提供了一种用于去除光阻残留物的清洗液及其组成。该去除光阻残留物的清洗液含有醇胺，有机溶剂，没食 |
| 33 | CN103773626A | 一种低蚀刻的去除光阻蚀刻残留物的清洗液 | 2014.05.07 | 本发明公开了一种去除光阻蚀刻残留物的清洗液及其组成。这种低蚀刻性的去除光阻蚀刻残留物的清洗液含有（a |
| 34 | CN103387890A | 一种清洗液及其应用 | 2013.11.13 | 本发明提供了一种清洗液，包括含有铁离子的化合物、铁的络合剂和氯化物。该清洗液可用于加速金属污染物的溶 |
| 35 | CN103389627A | 一种光刻胶清洗液 | 2013.11.13 | 本发明提供了一种光刻胶清洗液，其包含氢氧化钾，醇胺，季戊四醇，六元醇和助溶剂。该清洗液具备较强的清洗 |
| 36 | CN103360953A | 一种化学机械抛光液 | 2013.10.23 | 本发明公开了一种化学机械抛光液，包括：能侵蚀钨的化合物和至少一种钨侵蚀抑制剂，其中，该钨侵蚀抑制剂为 |
| 37 | CN102902168A | 一种光刻胶清洗液 | 2013.01.30 | 本发明公开了一种光刻胶清洗液，该清洗液为非水性的低蚀刻清洗液。其含有：醇胺、3-氨基-5-巯基-1， |
| 38 | CN102850937A | 一种化学机械抛光液 | 2013.01.02 | 本发明公开了一种化学机械抛光液，其含有水、比表面积(用BET比表面积测试法测得)范围为120～300 |
| 39 | CN102827707A | 一种等离子刻蚀残留物清洗液 | 2012.12.19 | 本发明公开了一种含氟的半导体工业中等离子刻蚀残留物清洗液，该清洗液组合物含有：a)有机溶剂 5％～7 |
| 40 | CN101665661A | 胺类化合物的应用以及一种化学机械抛光液 | 2010.03.10 | 本发明公开了一种如式1所示的胺类化合物在制备用于抛光氧化物介电质的抛光液中的应用；其中R<sub>1 |
| 41 | CN101666984A | 一种等离子刻蚀残留物清洗液 | 2010.03.10 | 本发明公开了一种等离子刻蚀残留物清洗液，其包含溶剂、水和氟化物，其还含有含颜料亲和基团的星形聚合物。 |
| 42 | CN101665662A | 一种化学机械抛光液 | 2010.03.10 | 本发明公开了一种化学机械抛光液，其含有二氧化硅溶胶颗粒、有机羧酸和/或有机膦酸类化合物、硝酸钾和水。 |
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